中國(guó)網(wǎng)/中國(guó)發(fā)展門(mén)戶(hù)網(wǎng)訊 半導(dǎo)體科技的高水平自立自強(qiáng)，既體現(xiàn)在微電子（集成電路）科技在美西方封鎖局勢(shì)下的“自立”問(wèn)題，又體現(xiàn)在光電子科技如何筑牢長(zhǎng)板形成產(chǎn)業(yè)突破的“自強(qiáng)”問(wèn)題。光電子信息產(chǎn)業(yè)的率先突破可以為微電子（集成電路）產(chǎn)業(yè)提供有力支持、配合和更有利的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境。2022年6月，習(xí)近平總書(shū)記在聽(tīng)取湖北省光電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展及核心技術(shù)攻關(guān)情況介紹時(shí)指出，光電子信息產(chǎn)業(yè)是應(yīng)用廣泛的戰(zhàn)略高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，也是我國(guó)有條件率先實(shí)現(xiàn)突破的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)。

光電子信息產(chǎn)業(yè)的率先突破離不開(kāi)高效率的半導(dǎo)體光電材料。2023年7月3日，我國(guó)商務(wù)部、海關(guān)總署發(fā)布2023年第23號(hào)公告《關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告》：依據(jù)《中華人民共和國(guó)出口管制法》《中華人民共和國(guó)對(duì)外貿(mào)易法》《中華人民共和國(guó)海關(guān)法》有關(guān)規(guī)定，為維護(hù)國(guó)家安全和利益，經(jīng)國(guó)務(wù)院批準(zhǔn)，決定對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制，公告自2023年8月1日起正式實(shí)施。其中，鎵相關(guān)物項(xiàng)包含金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵等8項(xiàng)。除鎵屬于金屬，其他7項(xiàng)均為含鎵元素的化合物半導(dǎo)體材料，可統(tǒng)稱(chēng)為“鎵體系”半導(dǎo)體，其主要特點(diǎn)是高光電轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能，且能覆蓋從紫外、可見(jiàn)光、紅外、太赫茲一直到毫米波、微波的常用電磁波譜，是光電子信息產(chǎn)業(yè)中光電感知、傳輸?shù)幕?/p>

對(duì)金屬鎵和“鎵體系”半導(dǎo)體材料實(shí)施管控舉措，展現(xiàn)出我國(guó)在該領(lǐng)域已具備一定的資源優(yōu)勢(shì)和材料優(yōu)勢(shì)，但更具戰(zhàn)略意義的工作是如何搶占“鎵體系”半導(dǎo)體科技的制高點(diǎn)，進(jìn)一步筑強(qiáng)我國(guó)光電子芯片的長(zhǎng)板，進(jìn)而增強(qiáng)我國(guó)光電子信息產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

發(fā)展“鎵體系”半導(dǎo)體科技對(duì)搶占新一代半導(dǎo)體科技制高點(diǎn)具有重要戰(zhàn)略意義

“鎵體系”半導(dǎo)體科學(xué)內(nèi)涵豐富，對(duì)筑強(qiáng)光電子芯片長(zhǎng)板起著關(guān)鍵基礎(chǔ)作用。傳統(tǒng)概念上的“鎵體系”半導(dǎo)體材料與器件，基本都是在系統(tǒng)中獨(dú)立封裝、各司其職的分立元器件，包括在很多領(lǐng)域起到關(guān)鍵作用的器件，如半導(dǎo)體激光器、探測(cè)器、功率放大器、低噪聲放大器、發(fā)光二極管等。廣義的“鎵體系”半導(dǎo)體概念更強(qiáng)調(diào)“體系”甚至是“生態(tài)”，強(qiáng)調(diào)“異質(zhì)”集成理念及相關(guān)技術(shù)，也可以融合先進(jìn)的集成電路芯片和制造技術(shù)。

發(fā)展“鎵體系”半導(dǎo)體科技對(duì)我國(guó)搶占新一代半導(dǎo)體科技制高點(diǎn)具有重要戰(zhàn)略意義。當(dāng)前，基于硅體系的集成電路芯片發(fā)展最為成熟，已經(jīng)形成了完整的體系生態(tài)。但硅體系是美西方掌握話語(yǔ)權(quán)的體系生態(tài)，我國(guó)使用先進(jìn)的裝備、制造技術(shù)、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具都會(huì)受到嚴(yán)格限制。要逐步扭轉(zhuǎn)我國(guó)在集成電路芯片領(lǐng)域被動(dòng)的局面，一方面要有底線意識(shí)，在集成電路賽道緊追不舍，并前瞻性地加強(qiáng)集成電路基礎(chǔ)能力建設(shè)，逐步點(diǎn)亮集成電路科技自立自強(qiáng)的“燈塔”；另一方面要有長(zhǎng)板思維，找準(zhǔn)具有優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)的領(lǐng)域布局新賽道，以搶占新一代半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)的科技制高點(diǎn)。大力發(fā)展“鎵體系”半導(dǎo)體科技，并形成“體系”和“生態(tài)”，將有助于我國(guó)確立在新賽道上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

我國(guó)“鎵體系”半導(dǎo)體科技已有自主可控能力，具備搶占科技制高點(diǎn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。長(zhǎng)期以來(lái)，對(duì)于硅體系領(lǐng)跑者的美西方對(duì)發(fā)展“鎵體系”半導(dǎo)體科技意愿不強(qiáng)、動(dòng)力不足，我國(guó)的“鎵體系”半導(dǎo)體科技追得比較緊，同美西方的差距相對(duì)較小。僅以中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所為例，從早期的砷化鎵激光器、氮化鎵激光器，到近期的高性能銻化鎵紅外探測(cè)器和激光器，以及氮化鎵藍(lán)光發(fā)光二極管，其科技工作的深度和水平同國(guó)際一流研發(fā)機(jī)構(gòu)相比也基本能處于“并跑”行列。特別值得一提的是，我國(guó)還構(gòu)建了卓有成效的攻關(guān)關(guān)鍵核心技術(shù)的新型舉國(guó)體制。另外，“鎵體系”半導(dǎo)體科技的特點(diǎn)是不依賴(lài)最先進(jìn)的制造技術(shù)也能制造出高性能的器件，不存在集成電路領(lǐng)域被先進(jìn)光刻機(jī)“卡脖子”的問(wèn)題。

“鎵體系”半導(dǎo)體技術(shù)的重大需求與發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

“鎵體系”半導(dǎo)體支持在廣域電磁波譜段范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)感知、計(jì)算、傳輸三者智能融合的終端芯片。從傳統(tǒng)的感知、計(jì)算分離進(jìn)化到終端感知、計(jì)算、傳輸智能融合，是解決云端計(jì)算大數(shù)據(jù)量延遲、抗網(wǎng)絡(luò)風(fēng)險(xiǎn)能力弱的有效方案。現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列（FPGA）、人工智能硬件加速器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)字信號(hào)處理等，必須與負(fù)責(zé)態(tài)勢(shì)感知和數(shù)據(jù)傳輸?shù)摹版夡w系”半導(dǎo)體芯片集成到單個(gè)封裝中，并由高效的電源管理芯片提供支持，以提高智能終端系統(tǒng)的自主性、多任務(wù)靈活性，以及減小尺寸、重量和功耗（SWAP）。與相對(duì)成熟的分立器件只重視單獨(dú)優(yōu)化材料和元件性能的傳統(tǒng)設(shè)計(jì)理念不同，“鎵體系”半導(dǎo)體更注重系統(tǒng)協(xié)同優(yōu)化理念和可重新配置的平臺(tái)思維方式。

“鎵體系”半導(dǎo)體支持高速光子收發(fā)器件，有望徹底解決云端大算力芯片的海量數(shù)據(jù)大帶寬傳輸瓶頸問(wèn)題。云計(jì)算中心目前面臨著越來(lái)越嚴(yán)重的數(shù)據(jù)傳輸瓶頸，而這個(gè)問(wèn)題有望通過(guò)共封裝光學(xué)（CPO）技術(shù)來(lái)解決。CPO將高速半導(dǎo)體激光器、高速光學(xué)接口元件緊密地結(jié)合成為一體化的高性能光子收發(fā)器件，并與大算力芯片異質(zhì)異構(gòu)集成封裝，為大算力芯片需要的海量數(shù)據(jù)提供高效的長(zhǎng)距離和大帶寬數(shù)據(jù)傳輸。與傳統(tǒng)電路板上的銅電線相比，“鎵體系”半導(dǎo)體技術(shù)可提供顯著提高的數(shù)據(jù)傳輸速率和極低的數(shù)據(jù)功耗——現(xiàn)有結(jié)果已經(jīng)展示在單個(gè)小芯片產(chǎn)生了T比特每秒量級(jí)的數(shù)據(jù)吞吐量，且能耗僅為5皮焦每比特。

“鎵體系”半導(dǎo)體的終極形態(tài)將是多種材料原子級(jí)堆疊構(gòu)建的多異質(zhì)結(jié)量子結(jié)構(gòu)，并可制備出顛覆性的光-電-智能共融芯片。目前，一些正在快速發(fā)展的材料生長(zhǎng)新技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)多種高品質(zhì)“鎵體系”半導(dǎo)體材料納米尺度下的異質(zhì)堆疊，實(shí)現(xiàn)在單個(gè)器件中集成所希望的多種材料特性，以突破傳統(tǒng)單一材料的設(shè)計(jì)權(quán)衡。這將提供具有顛覆性?xún)?yōu)勢(shì)的新材料特性，電子、光電子、量子、磁性等器件都將從這場(chǎng)“變革”中受益。例如，現(xiàn)在已有堆疊了多層氮化鎵溝道的材料報(bào)道，這足以支撐帶有側(cè)柵極的3D多通道結(jié)構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。

發(fā)展我國(guó)“鎵體系”半導(dǎo)體科技的建議

長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)半導(dǎo)體科研和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，始終在不同程度上存在著頂層規(guī)劃落實(shí)不到位、基礎(chǔ)研究和專(zhuān)利布局滯后、核心裝備和制造技術(shù)受制于人、科研和產(chǎn)業(yè)脫節(jié)等“老大難”問(wèn)題。通過(guò)深刻領(lǐng)會(huì)習(xí)近平總書(shū)記提出的“強(qiáng)化基礎(chǔ)研究前瞻性、戰(zhàn)略性、系統(tǒng)性布局”重要指示精神，對(duì)發(fā)展我國(guó)“鎵體系”半導(dǎo)體科技提出4條建議。

充分發(fā)揮國(guó)家科研機(jī)構(gòu)建制化組織作用，聯(lián)合國(guó)內(nèi)有基礎(chǔ)的研究型大學(xué)和科技領(lǐng)軍企業(yè)對(duì)“鎵體系”半導(dǎo)體科技開(kāi)展頂層設(shè)計(jì)、統(tǒng)籌規(guī)劃、合力攻關(guān)。組織從物理原理、材料、器件、裝備、產(chǎn)品到工程應(yīng)用的全鏈條、最具實(shí)力的“鎵體系”半導(dǎo)體科技力量，扎實(shí)凝練關(guān)鍵科學(xué)問(wèn)題和科研目標(biāo)，構(gòu)筑“鎵體系”半導(dǎo)體科技的科研新范式。這個(gè)范式創(chuàng)新是美西方目前還沒(méi)有明確提出的；因此，要下好“先手棋”，盡快開(kāi)展頂層規(guī)劃，穩(wěn)步推進(jìn)，有序?qū)嵤囊?guī)劃層面確保科研機(jī)構(gòu)在攻關(guān)過(guò)程中能夠改變傳統(tǒng)的“散裝”課題意識(shí)，科技企業(yè)能夠轉(zhuǎn)變以往的“頭痛醫(yī)頭、腳疼醫(yī)腳”的短期意識(shí)。要對(duì)標(biāo)對(duì)表習(xí)近平總書(shū)記“光電子信息產(chǎn)業(yè)是應(yīng)用廣泛的戰(zhàn)略高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，也是我國(guó)有條件率先實(shí)現(xiàn)突破的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)”目標(biāo)要求，發(fā)揮新型舉國(guó)體制的優(yōu)勢(shì)，強(qiáng)化“鎵體系”半導(dǎo)體科技的協(xié)同攻關(guān)，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力，搶占科技制高點(diǎn)；迅速形成我國(guó)“鎵體系”半導(dǎo)體的科研、產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，以增強(qiáng)我們同美西方的競(jìng)爭(zhēng)能力、談判籌碼。

高度重視基礎(chǔ)研究，從“鎵體系”半導(dǎo)體量子物理和EDA工具的源頭做起，并超前做好專(zhuān)利布局。“鎵體系”半導(dǎo)體作為較新的材料體系，研究相對(duì)不充分、不完全，許多材料性能的假設(shè)尚未通過(guò)理論或?qū)嶒?yàn)檢驗(yàn)，也沒(méi)有得到充分評(píng)估或證明。通過(guò)理論仿真、預(yù)測(cè)和基準(zhǔn)測(cè)試了解材料系統(tǒng)的基本特性，對(duì)于決定如何進(jìn)一步發(fā)展器件制造至關(guān)重要。自主可控的EDA工具在理論研究和實(shí)驗(yàn)檢驗(yàn)的基礎(chǔ)上發(fā)展并完善，有助于實(shí)現(xiàn)原子級(jí)到電路級(jí)的仿真，可以顯著縮短芯片研發(fā)的周期和成本，并為超前布局專(zhuān)利體系贏得時(shí)間。

高度重視基于自研裝備的科研平臺(tái)能力建設(shè)，將基礎(chǔ)研究固化在自主可控的核心裝備上，從根本上擺脫受制于人。由于先進(jìn)裝備受限，采用落后的工藝在短期內(nèi)是我國(guó)半導(dǎo)體界唯一的選擇。大力發(fā)展“鎵體系”半導(dǎo)體制造技術(shù)，是推動(dòng)自主可控的半導(dǎo)體裝備國(guó)產(chǎn)化驗(yàn)證的有效推手，特別是驗(yàn)證國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)及光刻膠等相關(guān)耗材的有力途徑。目前，國(guó)產(chǎn)裝備要想導(dǎo)入成熟的硅集成電路產(chǎn)線進(jìn)行驗(yàn)證面臨很大阻力。“鎵體系”半導(dǎo)體目前對(duì)裝備的線寬和可靠性要求不像硅體系那么嚴(yán)苛，可以和國(guó)產(chǎn)裝備天然形成共同成長(zhǎng)的伙伴關(guān)系。

打通科研平臺(tái)和生產(chǎn)企業(yè)之間的壁壘，發(fā)揮好光電子信息產(chǎn)業(yè)的科技領(lǐng)軍企業(yè)的“出題人”“答題人”和“閱卷人”作用。“鎵體系”半導(dǎo)體應(yīng)向先進(jìn)的硅制造工藝學(xué)習(xí)，導(dǎo)入生產(chǎn)企業(yè)樂(lè)于接受的大尺寸、低成本硅襯底平臺(tái)，以及大尺寸小線寬光刻、化學(xué)機(jī)械拋光、平面化多級(jí)銅互連等先進(jìn)工藝模塊。這樣做有助于打通科研平臺(tái)與生產(chǎn)企業(yè)之間的壁壘，有利于實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量、高性能和低成本生產(chǎn)。科研平臺(tái)應(yīng)以多項(xiàng)目晶圓（MPW）的方式，向國(guó)內(nèi)的設(shè)計(jì)企業(yè)積極開(kāi)放平臺(tái)代工資源，但前提是對(duì)創(chuàng)新設(shè)計(jì)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）享有共同的權(quán)利。科研平臺(tái)和科技企業(yè)之間緊密合作，以實(shí)現(xiàn)“鎵體系”半導(dǎo)體技術(shù)從設(shè)計(jì)到制造、測(cè)試、應(yīng)用等全鏈條的快速迭代推進(jìn)。

（作者：張韻，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)材料科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院；編審：黃瑋；《中國(guó)科學(xué)院院刊》供稿）